工作压对射频磁控溅射ZAO薄膜微结构及光电性能影响的研究

作     者：朱华 万文琼 况慧芸 冯晓炜 ZHU Hua;WAN Wen-qiong;KUANG Hui-yun;FENG Xiao-wei

作者机构：景德镇陶瓷学院机电学院景德镇333001 景德镇陶瓷学院科技艺术学院工程系景德镇333001 

基　　金：江西省教育厅科技项目(GJJ13639) 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2013年第42卷第9期

页      码：1857-1863页

摘      要：运用射频磁控溅射技术,改变工作压(3～10 Pa)在玻璃衬底上生长透明导电ZnO∶Al(ZAO)样品,采用XRD、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测量仪及SEM对薄膜微结构、厚度及其光电性能表征。结果发现:随着工作压增大,样品XRD曲线由多峰转变为(002)单峰,峰强变大半高宽减小,晶粒尺寸由10.01 nm增大到13.46 nm,薄膜结晶性能变好;紫外可见光光谱在400～760 nm波长区间平均透射率均在85%以上,且在400 nm以下均有吸收边峰出现,样品带隙宽度随工作压增加有蓝移现象,样品厚度随工作压增加从1085 nm减小到781 nm。样品电阻率随工作压从3～6 Pa增加由0.5×10-4Ω·cm增大到35×10-4Ω·cm,在6～10 Pa区间有减小趋势。

主 题 词：ZAO薄膜 透射率 电阻率 

学科分类：08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-985X.2013.09.025

馆 藏 号：203489043...