CdSiP_2晶体的生长与热膨胀性质研究

作     者：杨辉 朱世富 赵北君 何知宇 陈宝军 孙宁 吴敬尧 林莉 

作者机构：四川大学材料科学系成都610064 西华师范大学物理与空间科学学院南充637000 

基　　金：国家自然科学基金(51172149) 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2015年第44卷第10期

页      码：2619-2625页

摘      要：设计出PBN内衬的逐层减压石英生长安瓿,采用改进的垂直布里奇曼法,获得了完整无开裂的CdSiP2晶体,尺寸达15mm×65mm。采用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能谱仪对生长的晶体进行测试表明,生长晶体化学成分非常接近CdSiP2的理论化学配比,结晶性良好。运用红外分光光度计以及红外显微镜对厚度2mm的CdSiP2晶片进行了红外光学性能测试,结果表明,在2~5μm范围内的红外透过率在53%以上,晶片的红外透过率均匀性接近90%。对CdSiP2晶体a轴方向与c轴方向的热膨胀系数αa和αc分别进行了测定,在温度620K时,a轴方向的热膨胀系数αa高达4×10-6K-1,几乎为αc的三倍。计算得到Cd-P键rCd-P的热膨胀系数为17×10-6K-1,比Si-P键rSi-P大得多,采用电子结构理论分析了CdSiP2晶体各向异性热膨胀机理。

主 题 词：CdSiP2 晶体生长 布里奇曼法 热膨胀 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2015.10.001

馆 藏 号：203490031...