利用高级MOSFET器件设计高效率开关模式电源

作     者：Filippo DiGiovanni 

作者机构：STMicroelectronics 

出 版 物：《电子产品世界》 (Electronic Engineering & Product World)

年 卷 期：2003年第10卷第22期

页      码：44-46页

摘      要：开关电源设计人员可利用具备低导通电阻和快速开关速度的高级功率MOSFET器件设计出效率更高的开关电源.为了实现这一点,设计人员可能需要选择优化的电路拓扑和器件.

主 题 词：MOSFET 肖特基 电源 准共振 高效率 器件设计 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

馆 藏 号：203494357...