一种新型2.4 GHz SiGe BiCMOS低噪声放大器

作     者：戴广豪 李文杰 王生荣 李竞春 杨谟华 DAI Guang-hao;LI Wen-jie;WANG Sheng-rong;LI Jing-chun;YANG Mo-hua

作者机构：电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2006年第36卷第5期

页      码：580-583页

摘      要：基于窄带低噪声放大器理论,设计了一种2.4 GHz,具有低功耗、低噪声和良好匹配性等优点的新型BiFET结构SiGe BiCMOS低噪声放大器。采用TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS工艺库,利用SpectreRF软件的仿真结果显示,该电路具有2.27 dB低噪声系数,11.5 dB正向增益;2 V工作电压下,其功耗仅为6.1 mW。研究结果表明,该低噪声放大器在射频蓝牙系统中具有一定的应用前景。

主 题 词：SiGe BiCMOS 低噪声放大器 BiFET 蓝牙系统 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.010

馆 藏 号：203495400...