一种高温度性能的CMOS带隙基准源

作     者：许小丽 冯全源 XU Xiao-li;FENG Quan-yuan

作者机构：西南交通大学微电子研究所四川成都610031 

基　　金：国家自然科学基金-中物院联合基金资助项目(10876029) 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2010年第27卷第1期

页      码：25-28页

摘      要：提出了一种正负温度系数电流产生电路,使用分段线性温度补偿技术用于传统的电流模式基准电路中,改善CMOS带隙基准电路在宽温度范围内的温度漂移.采用0.18μm CMOS混合信号工艺,对该电路进行了设计.在1.8V的电源电压条件下,基准输出电压为0.801 V,温度系数在-40℃-125℃范围内可达到2.7ppm/℃,电源电压从1.5V变化到3.3V的情况下,带隙基准的输入电压调整率为1.2 mV/V.

主 题 词：低温度系数 带隙基准 分段线性补偿 CMOS 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2010.01.007

馆 藏 号：203496170...