完全基于绝热电路的静态随机存储器(SRAM)设计

作     者：王芳 兰景宏 吉利久 WANG Fang;LAN Jinghong;JI Lijiu

作者机构：北京大学微电子学研究所北京100871 

出 版 物：《清华大学学报（自然科学版）》 (Journal of Tsinghua University(Science and Technology))

年 卷 期：2006年第46卷第10期

页      码：1747-1750页

摘      要：为了降低静态随机存储器(SRAM)的功耗,提出了一种完全采用绝热电路实现的W A SRAM(W ho le A d iabaticSRAM),W A SRAM的译码部分、存储单元、读出放大等全部采用绝热电路结构。针对W A SRAM建立了功耗分析模型。基于0.18μm 1.8 V CM O S工艺,在不同频率下针对不同存储规模的SRAM进行了功耗仿真、分析和比较。实验结果证明,W A SRAM的低功耗效果十分明显,与传统CM O S电路实现的SRAM相比,在250 MH z频率下,W A SRAM功耗降低了80%以上。

主 题 词：SRAM 绝热电路 功耗分析 低功耗 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1000-0054.2006.10.028

馆 藏 号：203501560...