相变存储器驱动电路的设计与实现
作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米存储技术联合实验室上海200050
基 金：国家863计划(2006AA03Z360) 国家重点基础研究发展计划(2007CB935400 2006CB302700) 上海市科委资助项目(06QA14060 06XD14025 0652nm003 06DZ22017 0752nm013 07QA14065)
出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)
年 卷 期：2008年第33卷第5期
页 码：431-434页
摘 要：介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理,设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16Kb以及1Mb容量的相变存储器芯片的设计,并采用中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的0·18μm标准CMOS工艺实现。该驱动电路通过Hspice仿真,表明带隙基准电压、偏置电流均具有较高的精度,取得了良好的仿真结果,在16Kb相变存储器芯片测试中,进一步验证了以上仿真结果。
主 题 词：相变存储器 电流驱动 基准电压 偏置电流 电流镜 互补金属氧化物半导体
学科分类：0810[工学-土木类] 07[理学] 08[工学] 081001[081001]
D O I：10.3969/j.issn.1003-353X.2008.05.018
馆 藏 号：203501981...
