LDMOS器件的几种新技术及其发展趋势

作     者：武建民 祝伟 马士让 李丽 

作者机构：无锡职业技术学院江苏无锡214121 

出 版 物：《科技资讯》 (Science & Technology Information)

年 卷 期：2011年第9卷第35期

页      码：1-1页

摘      要：LDMOS(Lateral Double-Diffused MOSFET)是一种横向功率器件,易于与低压信号以及其他器件单片集成。且有高耐压、高增益、低失真等优点,被广泛应用于功率集成电路中。LDMOS器件本身性能的优劣及其工作的可靠性决定了整个功率集成电路的性能的优劣,因此LDMOS的设计在整个工艺开发中显的尤为重要。

主 题 词：LDMOS(Lateral Double-Diffused MOSFET) 功率器件 工艺开发 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16661/j.cnki.1672-3791.2011.35.095

馆 藏 号：203503718...