eDRAM高速读写和紧凑式电荷转移刷新方案

作     者：程宽 马亚楠 孟超 董存霖 林殷茵 

作者机构：复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 

出 版 物：《复旦学报（自然科学版）》 (Journal of Fudan University：Natural Science)

年 卷 期：2012年第51卷第1期

页      码：33-42页

摘      要：提出了一种采用逻辑工艺、访存速度优化、降低刷新功耗的动态随机存储器(DRAM),使其在嵌入式系统的设计与制造中易于与高性能逻辑电路融合.采用读写前置放大的高速读写方案,使DRAM读写速度得到了优化;采用紧凑式电荷转移刷新替代传统刷新方案,在降低了刷新功耗的同时,缩短了DRAM的刷新时间开销,提高了DRAM的数据可访问性.仿真结果表明:与传统方案相比,在3ns时钟周期下,存储器写操作时间为3ns,减少了23%;数据访问时间为1.8ns,减少了15%;在刷新模式下,灵敏放大器功耗降低了58%,同时刷新时间降低了43%.

主 题 词：动态随机存储器 逻辑工艺 高速读写 紧凑式电荷转移刷新 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.15943/j.cnki.fdxb-jns.2012.01.006

馆 藏 号：203503799...