位置灵敏^3He管中子探测器前端电子学设计

作     者：黄土琛 宫辉 邵贝贝 

作者机构：清华大学工程物理系粒子技术与辐射成像教育部重点实验室北京100084 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11005064) 

出 版 物：《清华大学学报（自然科学版）》 (Journal of Tsinghua University(Science and Technology))

年 卷 期：2012年第52卷第12期

页      码：1731-1735页

摘      要：介绍了清华大学微型脉冲强子源(CPHS)中子小角散射谱仪中3 He管探测器的前端电子学设计。该谱仪设计采用一维3 He管探测器阵列,使用电荷分配法确定中子入射位置。在基于电荷分配法的双端读出电路中,设计者需要考虑更多的因素如高压隔直电容、运放的输入阻抗、成形电路的结构等,这些因素都会给位置分辨带来影响。该文通过分析这些因素的影响,并结合SPICE软件仿真,对电路参数进行优化,给出一个简单可行的电路设计方案,并通过初步实验验证了可行性。

主 题 词：3He管 位置灵敏中子探测器 电荷分配法 前端电子学 中子散射 

学科分类：082704[082704] 08[工学] 0827[工学-食品科学与工程类] 

核心收录：

D　O　I：10.16511/j.cnki.qhdxxb.2012.12.020

馆 藏 号：203504197...