具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析

作     者：杨洪强 郭丽娜 郭超 韩磊 陈星弼 

作者机构：电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054 

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9776 0 4 1)~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2003年第24卷第9期

页      码：977-982页

摘      要：介绍了一种对具有电阻场板的薄膜SOI LDMOS的精确解析设计方法 .在对电场分析的基础上 ,提出了新的电离率模型 ,并求出了电离率积分的准确路径 ,进而得到击穿电压、漂移区掺杂、漂移区长度与SOI硅层厚度、埋氧层厚度的关系 .模拟结果表明 ,解析与模拟结果具有很好的一致性 ,而且设计的器件具有击穿电压大、比导通电阻极小的优点 .

主 题 词：SOI 电阻场板 横向双扩散MOS管 埋氧层 电离率 击穿电压 比导通电阻 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2003.09.017

馆 藏 号：203505994...