一种新型900MHz CMOS低噪声放大器的设计

作     者：危长明 陈迪平 王镇道 陈永洁 

作者机构：湖南大学应用物理系湖南长沙410082 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2004年第29卷第1期

页      码：63-67页

摘      要：对两种低噪声放大器(LNA)的构架进行了比较,详细推导了共源LNA的噪声系数与输入晶体管栅宽的关系及优化方法,设计了一种采用0.6μm标准CMOS工艺,工作于900MHz的新型差分低噪声放大器。在900MHz时,噪声系数为1.5 dB的情况下可提供22.5 dB的功率增益,-3dB带宽为150MHz, S11达到-38dB,消耗的电流为5mA。

主 题 词：CMOS 低噪声放大器 噪声系数 射频集成电路 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2004.01.020

馆 藏 号：203506080...