一种三维多层1TxR阻变存储器设计

作     者：张佶 金钢 吴雨欣 陈怡 林殷茵 

作者机构：复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60206005 60373017 60676007) 

出 版 物：《复旦学报（自然科学版）》 (Journal of Fudan University：Natural Science)

年 卷 期：2011年第50卷第4期

页      码：423-429页

摘      要：提出一种适用于未来高密度应用的三维多层可堆叠1TxR阻变存储器设计.采用新型的多个存储电阻共享一个选通管的存储单元,选通管制作在硅片表面与标准逻辑工艺兼容,存储电阻堆叠在不同的互连金属层之间,构成三维存储结构.在0.13μm工艺下,以一个使用8层金属堆叠的1TxR(x=64)结构为例,其存储密度比传统的单层1T1R结构高280%.同时提出相关的读写操作方法来防止由漏电流造成的误写和误读并且降低功耗.

主 题 词：三维 可堆叠 多层 阻变存储器 高密度应用 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.15943/j.cnki.fdxb-jns.2011.04.005

馆 藏 号：203509742...