140W高功率非对称宽波导980nm半导体激光器

作     者：王冠 崇锋 熊聪 王俊 赵懿昊 刘素平 马骁宇 

作者机构：中国科学院半导体所光电子器件国家工程中心北京100083 

基　　金：中国科学院知识创新工程资助项目(ISCAS2008T12) 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2009年第20卷第10期

页      码：1310-1313页

摘      要：为了提高半导体激光器(LD)的出光功率,优化了P型波导层以及限制层的厚度。将光场的对称分布变成非对称分布,降低了有源区的光限制因子,从而降低了器件腔面的功率密度,避免器件出现腔面灾变损伤(COD);提高LD的电光转换效率,减小器件的散热路径,降低器件的热阻,从而有效抑制了器件的热饱和。设计并制作了非对称宽波导980 nm高功率LD。器件的综合测试性能为:当器件的注入电流为161 A时,器件的输出功率达到139.6 W,对应的斜率效率、电压和电光转换效率分别为0.91 W/A、1.79 V和48.4%。

主 题 词：半导体激光器(LD) 高功率 非对称宽波导 P型波导层厚度 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.16136/j.joel.2009.10.009

馆 藏 号：203509852...