集成电路可靠性评价技术

作     者：孔学东 章晓文 恩云飞 

作者机构：信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 

出 版 物：《中国集成电路》 (China lntegrated Circuit)

年 卷 期：2005年第14卷第1期

页      码：83-86页

摘      要：对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取器件的可靠性模型参数和可靠性信息。超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流子注入效应、金属化电迁移效应和氧化层的TDDB击穿。本文对这三种失效机理分别进行了介绍,对各自对应的可靠性模型进行了说明,强调了可靠性评价的重要性,给出了可靠性评价在工艺中的应用流程图。

主 题 词：超大规模集成电路 TDDB 电迁移效应 热载流子注入效应 圆片级 可靠性评价 失效机理 可靠性模型 可靠性测试 测试结构 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-5289.2005.01.019

馆 藏 号：203510232...