C波段单片有源环行器

作     者：岑元飞 林金庭 陈克金 

作者机构：南京电子器件研究所 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：1996年第16卷第1期

页      码：5-8页

摘      要：报道了一种源耦合反馈单片有源环行器的研究结果、该单片电路采用实测ＦＥＴ的Ｓ参数进行微波ＣＡＤ优化设计，内部包含有３个３００μｍ栅宽的ＦＥＴ，芯片面积１．７ｍｍ×１．９ｍｍ。采用ＧａＡｓ的离子注入平面工艺，芯片电路具有良好的均匀性、一致性。在３．５～４．５ＧＨｚ内，电路插入损耗约７．５ｄＢ，隔离度为２１～２６ｄＢ，驻波比基本小于２。

主 题 词：微波 单片集成电路 有源环行器 反馈 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

馆 藏 号：203516702...