最新超结功率MOSFET使大功率硬开关拓扑电路的使用成为可能

作     者：Gerald Deboy Fanny Dahlquist Tobias Reimann Marco Scherf 亢宝位（译） 胡冬青（译） Gerald Deboy. Fanny Dahlquist,Tobias Reimann and Marco Scherf

作者机构：不详 北京工业大学 

出 版 物：《电力电子》 (Power Electronics)

年 卷 期：2006年第4卷第4期

页      码：46-48页

摘      要：无论对哪种封装,新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开关速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM(Ron*Qg)——低于6ΩnC,这就注定了此器件将被用于硬开关AC/DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构(ITTF)的功耗。为尽量保证比较有意义,我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入/输出条件。结果表明,与次好的MOSFET移相ZVS桥相比,新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

主 题 词：大功率 硬开关 拓扑电路 MOSFET 功率转换电路 AC/DC 输入/输出 导通电阻 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

馆 藏 号：203516876...