一种快速瞬态响应双环路LDO稳压器的设计

作     者：骞海荣 邹雪城 陈卫洁 涂熙 QIAN Hai-rong;ZOU Xue-cheng;CHEN Wei-jie;TU Xi

作者机构：华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2007年第37卷第1期

页      码：132-135页

摘      要：通过对传统单环LDO的频域分析,提出一种快速瞬态响应的双环路LDO稳压器结构,在保证单位增益带宽不变的前提下提高直流增益,进而提高LDO电路的瞬态性能。设计采用0.6μm BiCMOS高压工艺,Hspice仿真中输出电容为2.2μF,ESR为0.5Ω,旁路电容为1.0μF。负载电流从20 mA到180 mA变化时,其负载调整率仅为0.6%。

主 题 词：双环路LDO稳压器 直流增益 单位增益带宽 负载调整 线性调整 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2007.01.033

馆 藏 号：203516977...