深亚微米下芯片电源网络的设计和验证

作     者：樊俊峰 王国雄 沈海斌 楼久怀 FAN Jun-feng;WANG Guo-xiong;SHEN Hai-bin;LOU Jiu-huai

作者机构：浙江大学超大规模集成电路设计研究所杭州310027 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2006年第29卷第4期

页      码：1164-1167页

摘      要：随着芯片集成度的逐渐提高,芯片单位面积所消耗的功耗也越来越大,因此,可靠的电源网络设计和验证已成为芯片设计成败的关键因素之一。在以往,集成电路(IC)设计工程师往往根据经验来设计电源网络,但工艺到0.18μm,这往往会引起芯片功能失效。根据这个问题,本文首先介绍电压降(IR-Drop)和电子迁移率(Electro-migration)现象和对芯片性能的影响;其次,提出一种有效的电源网络设计和验证方法,并在芯片的物理设计初期对电源网络作可靠性估计;最后,经过椭圆曲线加密芯片(ECC&RSA)的流片,表明采用该方法设计的芯片,工作情况良好。

主 题 词：电源网络 电压降 电子迁移率 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2006.04.045

馆 藏 号：203516987...