基于CMOS工艺的低噪声高稳定性LDO的设计

作     者：徐静萍 来新泉 XU Jing-ping;LAI Xin-quan

作者机构：西安邮电学院电信系西安710121 西安电子科技大学电路CAD研究所西安710071 

基　　金：国家教育部博士点基金资助项目(20010701003) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2007年第32卷第12期

页      码：1056-1059页

摘      要：介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理。重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流过大设计了过流保护电路。整个电路采用HYNIX 0.5μmCMOS工艺实现,基于HSPICE进行仿真验证,输出噪声为1μV(rms),典型环路增益为60 dB,相位裕度65°,证明了稳压器的低噪声和高稳定性。

主 题 词：LDO线性稳压器 旁路滤噪 低噪声 动态补偿 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2007.12.012

馆 藏 号：203517201...