CMOS电路参数的统计优化设计

作     者：甘学温 冯小敏 肖志广 杜刚 李佑斌 Gan Xuewen;Feng Xiaomin;Xiao Zhiguang;Du Gang;Li Youbin

作者机构：北京大学微电子学研究所 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：1999年第27卷第5期

页      码：126-128页

摘      要：本文提出了一种用实验设计与模拟相结合对ＣＭＯＳ集成电路参数进行统计优化设计的方法，分析工艺因素设置及其起伏对电路参数的影响，建立起电路参数相对主要工艺因素变化的宏模型，并用模型公式找出使电路参数在预期值附近且偏差最小的优化工艺条件．

主 题 词：实验设计 工艺因数 阈值电压 优化设计 CMOS IC 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0372-2112.1999.05.039

馆 藏 号：203518436...