一种基于ARCT的抗辐射加固器件结构设计

作     者：李遨宇 李同合 邵志标 

作者机构：西安交通大学微电子学系陕西西安710049 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2013年第30卷第4期

页      码：67-70页

摘      要：本文在探索半导体器件辐射损伤效应与机理的基础上,研究了通过器件的优化设计达到抗辐射加固性能要求的有效方法.基于0.18μmCMOS工艺条件,利用DVINCI三维器件模拟软件,建立了具有较好抗辐射性能的FD-SOI/MOSFET器件的加固模型,并提出了一种新型有源区裁剪(ARC)的双多晶硅栅结构晶体管.通过模拟辐射环境下器件的工作情况,证明该种结构具有很强的抗总剂量辐射的能力.

主 题 词：抗辐射加固 总剂量效应 单粒子效应 DVINCI模拟 双栅有源区裁剪 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2013.04.016

馆 藏 号：203519560...