非掺杂区对GaAs隧道结的优化

作     者：张曦 韩颖 杨建业 师巨亮 夏英杰 Zhang Xi;Han Ying;Yang Jianye;Shi Juliang;Xia Yingjie

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2016年第53卷第6期

页      码：369-373页

摘      要：有效提高隧道结的峰值隧道电流密度(J_p)是提高多结太阳电池(MJSC)聚光倍数和光电转换效率的关键。根据有限表面源扩散原理求解Fick扩散方程得到了隧道结界面处杂质扩散浓度分布,发现隧道结界面处的杂质扩散会增加空间电荷区宽度,导致隧道结的J_p降低。通过在隧道结中间加入非掺杂区(Ⅰ区)的方法对隧道结结构进行优化,分析得出厚度合适的Ⅰ区可以减小界面处杂质扩散带来的不利影响。基于该分析设计了一系列GaAs隧道结结构,采用分子束外延(MBE)技术获得了外延样品,结果表明在生长温度和掺杂浓度不变的情况下,隧道结中加入合适厚度的Ⅰ区可以提高J_p。

主 题 词：隧道结 峰值隧道电流密度 非掺杂区 杂质扩散 分子束外延(MBE) 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13250/j.cnki.wndz.2016.06.004

馆 藏 号：203520992...