英飞凌推出1200V碳化硅MOSFET技术 助力电源转换设计达到前所未有的效率和性能

出 版 物：《变频器世界》 (The World of Inverters)

年 卷 期：2016年第5期

页      码：20-20页

摘      要：英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC^TM MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。

主 题 词：MOSFET 电源转换 碳化硅 转换设计 性能 技术 股份公司 功率密度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203521006...