为耐用和可靠而设计的4．5kV压接式封装IGBT(英文)

作     者：S.埃克尔 M.雷西莫 E.齐普拉柯夫 D.施内德 U.施拉普巴赫 E.卡洛尔 Simon Eicher, Munaf Rahimo, Evgeny Tsyplakov, Daniel Schneider Ulrich Schlapbach, Eric Carroll ABB Switzerland Ltd, Semiconductors,CH-5600 Lenzburg, Switzerland

作者机构：ABB公司半导体分部 

出 版 物：《电力电子》 (Power Electronics)

年 卷 期：2004年第2卷第5期

页      码：56-63页

摘      要：介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发生某些不均匀现象,这种压接式封装的IGBT因其独特的设计,对每个芯片都用单独的压针压紧,因而它们都会发挥其完善的功能。进而,材料的选择也得到优化,以保证在野外也能达到极高的可靠性。在功率循环次数及在故障情况下运行之间的折衷平衡点亦已被推向新的限界。这里的IGBT和二极管二者的芯片都基于SPT(软穿通)技术。先进的IGBT平面元胞设计与二极管精密的寿命控制工程相结合,这样的芯片就具备了崭新的安全工作区。这就大大便利了系统的设计,使原先使用的夹具或减振器成为过时。

主 题 词：IGBT 压接式封装 压接式封装IGBT 功率循环 短路失效模式 模块化率 安全工作区 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203524959...