基于TCAD软件的纳米MOS器件特性分析

作     者：周明辉 ZHOU Ming-hui

作者机构：陕西冶金设计研究院有限公司陕西西安710032 

出 版 物：《电脑知识与技术》 (Computer Knowledge and Technology)

年 卷 期：2012年第8卷第8期

页      码：5438-5441页

摘      要：该文借助计算机仿真软件以32nmNMOS器件为例，研究了短沟道器件的特性。通过采用迁移率、碰撞离化、载流子复合等物理模型在模拟软件中建立了合适的器件模型。在此基础上对比分析了0．18m长沟与32nm短沟NMOS器件的输入、输出以及击穿特性。此外，讨论了不同栅氧厚度对纳米器件输入特性和击穿特性的影响。较薄的栅氧设计能显著降低器件的功耗，提升集成电路与系统的性能，同时对可靠性造成一定影响。

主 题 词：集成电路 TCAD 纳米MOS器件 

学科分类：08[工学] 0835[0835] 081202[081202] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1009-3044.2012.22.059

馆 藏 号：203524986...