PAR薄膜中由STM诱导的库仑岛研究

作     者：莫晓亮 姚彦 范智勇 徐华华 杨剑 陈国荣 

作者机构：复旦大学材料科学系上海200433 复旦大学化学系上海200433 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2003年第34卷第4期

页      码：412-413,417页

摘      要：　单有机材料PAR的薄膜在三明治结构中,在电场作用下有电双稳性质。利用这一性质,在STM针尖强电场作用下,PAR可形成纳米尺寸的导电的库仑岛,从而通过电流 电压特性的测量,在室温下观察到了库仑阻塞现象。估算了库仑岛的尺寸和所形成的双势垒隧道结构的参数,理论计算与实验结果相一致,本研究结果提供了一种新的室温单电子晶体管的设计思路。

主 题 词：PAR STM 库仑阻塞 室温单电子晶体管 薄膜 单电子器件 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1001-9731.2003.04.020

馆 藏 号：203525255...