高过载存储测试中抗过载技术的研究

作     者：文丰 乔建忠 李艳 

作者机构：中北大学电子测试技术国家重点实验室山西太原030051 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50675212) 

出 版 物：《传感器与微系统》 (Transducer and Microsystem Technologies)

年 卷 期：2009年第28卷第9期

页      码：31-33页

摘      要：介绍了高过载存储测试的系统组成和设计原理。对记录器抗高过载能力进行理论分析和试验证明,从电路和结构设计方面考虑提高抗高过载能力。应用ANSYS软件对结构进行仿真,并采用缓冲和灌封技术相结合的方案,使得防护效果更佳。经过试验证明:这种方案具有很高的可靠性。

主 题 词：高过载存储测试 抗高过载 侵彻 ANSYS仿真 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

核心收录：

D　O　I：10.13873/j.1000-97872009.09.009

馆 藏 号：203533312...