磁控溅射制备SmCo薄膜的工艺及磁性研究

作     者：邱轶 万红 刘吉燕 斯永敏 赵恂 

作者机构：国防科技大学航天与材料工程学院湖南长沙410073 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(59971064) 

出 版 物：《国防科技大学学报》 (Journal of National University of Defense Technology)

年 卷 期：2003年第25卷第5期

页      码：26-30页

摘      要：用直流磁控溅射方法制备了SmCo薄膜,通过正交设计实验考察了工艺因素对薄膜沉积速率的影响规律。研究结果表明,影响薄膜沉积速率的主要因素是溅射功率,其次为靶基距,在0.5～2.0Pa的压强范围内,Ar气压强的大小对溅射速率的影响很小。X-射线衍射结果表明:制备态的SmCo薄膜为非晶结构,500℃真空热处理后,薄膜中出现少量的微晶SmCo5化合物。磁性能测试表明:制备态SmCo薄膜的矫顽力随薄膜厚度的增加而显著下降;真空热处理过程中,薄膜结构缺陷及成分起伏减少,薄膜的矫顽力和饱和磁场强度显著下降,初始磁导率和饱和磁化强度显著增加。

主 题 词：直流磁控溅射 SmCo薄膜 工艺参数 磁化 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-2486.2003.05.007

馆 藏 号：203536739...