一种改进的非线性匹配高阶补偿基准源的设计

作     者：唐宁 李佐 李琦 TANG Ning;LI Zuo;LI Qi

作者机构：桂林电子科技大学信息与通信学院广西桂林541004 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2013年第36卷第6期

页      码：797-801页

摘      要：设计了一个改进的非线性匹配高阶补偿带隙基准源电路。该电路是在原非线性匹配二阶补偿的基础上,根据实际设计中遇到的问题改善了高温时基准的输出。本电路在一阶补偿和非线性二阶补偿后,对高温时基准输出作了三阶补偿,很大程度上增大了基准的工作温度范围。电路是采用CSMC 0.5μm标准CMOS工艺,仿真结果表明:在5 V的电压下,基准输出为1.001 56 V,温度在-50℃~150℃变化时,基准变化为0.5 mV,温漂小于3×10-6/℃,当电源从4 V^6 V变化时,基准变化为2 mV。低频时电源电压抑制比PSRR(Power Supply Rejection Ratio)为-85 dB,整个电路的功耗小于55μW。

主 题 词：带隙基准源 三阶补偿 电源电压抑制比 功耗 

学科分类：080804[080804] 080805[080805] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2013.06.010

馆 藏 号：203540485...