ISFET传感器偏置电路

作     者：BrianHarrington 

作者机构：AnalogDevices，Wilmington，MA 

出 版 物：《电子设计技术 EDN CHINA》 (EDN CHINA)

年 卷 期：2004年第11卷第10期

页      码：91-91页

摘      要：ISFET(离子敏感场效应晶体管)可用于测量流体的酸性.精确的测量要求ISFET的偏置条件(ID和VDS)保持恒定,同时栅极直接接触被测流体.流体的酸性改变通道宽度,从而产生一个与流体的PH值成正比例的栅极-源极电压VGS.图1所示电路是一种更简单、更精确的实现方法.电压VA通过ISFET Q1设定漏极电流ID,而电压VB设定Q1的漏极-源极电压VDS.两个AD8821型高精度测量放大器IC1和IC2均配置得具有等于1的增益.IC3是AD8627型精密JFET输入放大器,它缓冲漏极电压VD,确保流经R1的电流全都流经Q1.

主 题 词：偏置电路 栅极 测量要求 离子敏感场效应晶体管 通道 ID 电压 ISFET 传感器 流体 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080202[080202] 0802[工学-机械学] 

馆 藏 号：203541176...