8-20GHz 宽带单片微波集成低噪声放大器设计

作     者：李政凯 陈莹 李斌 LI Zheng-kai;CHEN Ying;LI Bin

作者机构：中国科学院上海天文台 中国科学院大学 

基　　金：国家自然科学基金(11078003) 中国科学院科学事业单位修缮购置专项基金(173018) 

出 版 物：《中国科学院上海天文台年刊》 (Annals Shanghai Astronomical Observatory Chinese Academy of Sciences)

年 卷 期：2014年

页      码：57-63页

摘      要：基于其体积小、重量轻、一致性好等特点,单片微波集成电路的低噪声放大器在射电天文中有着重要作用。本文采用稳懋公司150 nm和100 nm赝高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,pHEMT)工艺设计了两款低噪声放大器电路,成功流片,并进行比较。两款放大器的工作频率范围均为8-20 GHz,增益约为23~28 dB,噪声温度低于150K,输入输出回波损耗大于10 dB。

主 题 词：宽带 微波 单片集成 低噪声放大器 pHMET晶体管 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203541381...