一种跟踪负载电流变化的LDO频率补偿方法

作     者：权进国 杨华中 张刚强 QUAN Jin-guo;YANG Hua-zhong;ZHANG Gang-qiang

作者机构：清华大学深圳研究生院广东深圳518055 清华大学电子工程系北京100084 意法半导体研发(深圳)有限公司广东深圳518057 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2006年第36卷第6期

页      码：710-713,717页

摘      要：分析了低压差稳压芯片(LDO)的环路频率特性及其与负载电流的关系,提出了跟踪负载电流变化的LDO频率补偿思路和方法,并给出了具体的电路实现。在意法半导体公司的0.8μm BCD工艺下的仿真结果表明,该电路能显著提高LDO的频率稳定性和瞬态响应。

主 题 词：LDO 频率补偿 瞬态响应 芯片设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2006.06.005

馆 藏 号：203541514...