掺杂浓度对硅锥阴极特性的影响

作     者：皇甫鲁江 朱长纯 淮永进 

作者机构：西安交通大学电子与信息工程学院西安710049 北京东方电子集团北京100016 

基　　金：国家自然科学基金资助的课题~~ 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2002年第51卷第2期

页      码：382-388页

摘      要：基于漂移 扩散模型和量子理论中的WKB方法 ,用数值模拟方法分析了材料掺杂浓度对硅锥阴极场致发射特性及工作状态的影响 ,结果表明 ,硅锥阴极单纯的场致发射Iemit E特性受硅材料掺杂浓度的影响很小 .但低掺杂硅锥阴极顶端的电位随发射电流增大而明显上升 .锥体上电位变化可以等效为一个与锥体形状与掺杂相关的串联电阻的作用 ,这一电阻对单尖发射电流有负反馈作用 .另外 ,在常规的工作状态下 ,硅锥阴级的温升并不严重 .这些结果可以作为硅锥阴极设计的参考 .

主 题 词：场致发射 掺杂浓度 硅锥阴极 硅材料 电子发射 电位分布 

学科分类：080903[080903] 07[理学] 0809[工学-计算机类] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0704[理学-天文学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.51.382

馆 藏 号：203542255...