先进功率半导体器件展示系统工程学的新方向

作     者：L.洛伦茨 顾廉楚 By L. Lorenz (Infineon AG Co. Ltd, Germany)

作者机构：德国英飞凌技术公司 清华大学电机系 

出 版 物：《电力电子》 (Power Electronics)

年 卷 期：2004年第2卷第3期

页      码：9-12,20页

摘      要：阐述了最近出现的几种器件的原理,诸如超级结型(Super Junction)MOSFET,IGBT和SiC(碳化硅)器件的发展趋势。所有这些器件都具有1000V范围的阻断能力,并适用于不同的领域。最新一代CoolMOS(低损耗MOS 场效应管)在额定脉冲电流容量下能兼有极高的通态导电率和超快的开关速度。其阻断电压能力可复盖由500～ 800V的范围。在许多应用场合,CoolMOS的杰出开关性能由于缺少能与动态特性相匹配的二极管而不能被利用。由于这个原因随之开发了一个完整的SiC二极管系列,以获得开关器件和超快二极管的理想配对。这种二极管的性能将在后面讨论。碳化硅开关器件表现出远胜于硅器件的性能。既有高阻断电压,又有低通态电阻率是SiC功率开关器件的最突出的特征。SiC器件最吸引系统设计人员之处在于其MOSFET和JFET能在阻断电压1800V下分别具有47mΩ·cm2和14.5mΩ·cm2的通态电阻率。为了用具体器件说明这些前景,我们将讨论通常为垂直型JFET结构的这类器件,其阻断电压高达1800 V,且通态电阻率为12mΩ·cm2。

主 题 词：功率半导体器件 系统工程学 开关损耗 驱动损耗 通态导电率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203546957...