针对有限驱动电压应用的MOSFET

出 版 物：《国外电子元器件》 (International Electronic Elements)

年 卷 期：2007年第3期

页      码：80-80页

摘      要：Zetex Senliconductors推出三款为有限驱动电压应用设计的N沟道增强模式MOSFET。这三款新产品分别为20V的ZXMN2803E6（SOT236封装）、ZXMN2814FH和ZXMN2801F（均为S0323封装）。这些器件均具有1．8V岱条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1．2V电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。

主 题 词：MOSFET 驱动电压 电池驱动 开关功能 栅极驱动 N沟道 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203547752...