适合器件设计和电路模拟的SiGe基区HBT物理模型

作     者：颜渝瑜 钱晓州 

作者机构：复旦大学电子工程系 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：1997年第27卷第4期

页      码：232-242页

摘      要：提出了一个模拟ＳｉＣｅ基区ＨＢＴ器件特性的物理模型，在基区部分考虑了发射结处的价带不连续、大注入效应、Ｇｅ组份变化及重掺杂效应引起的能带变化的影响；在集电区分析时考虑了基区推出效应、载流子速度饱和效应、电流引起的空间电荷区效应以及准饱和效应。在此基础上给出了ＳｉＧｅ基区ＨＢＴ器件的电流和电荷公式。同时开发了ＳｉＧｅ基区ＨＢＴ的直流瞬态模型和小信号模型。利用修改的ＳＰＩＣＥ程序模拟了实际ＳｉＧｅ基区ＨＢＴ的器件和电路，通过同实际测量结果的比较，验证了模型的精确性。

主 题 词：半导体器件 HBT 异质结晶体管 器件模型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203548044...