用于锁相环的低失配CMOS电荷泵设计

作     者：黄磊 余俊 吴建辉 张萌 李红 HUANG Lei;YU Jun;WU Jianhui;ZHANG Meng;LI Hong

作者机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2008年第28卷第4期

页      码：616-620页

摘      要：设计了一种用于锁相环的低失配CMOS电荷泵电路,采用互补差分输入。互补差分管的使用有效地解决了电荷泵的时钟馈通和电荷注入等非理想现象。同时,利用自举的方法消除了电荷共享现象。在电路和版图的设计中,充分考虑了对称性对电流失配的影响。本电荷泵电路基于新加坡Chartered0.25μmN阱CMOS工艺实现,采用Candence中的Spectre仿真工具进行仿真,电源电压为3.3V。测试结果表明,在本芯片需要的各种电荷泵电流下其失配都低于0.65%。本电荷泵电路已应用于射频调谐器当中。

主 题 词：互补金属氧化物半导体 电荷泵 电流失配 电荷注入 时钟馈通 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2008.04.031

馆 藏 号：203548369...