SiO_2介质材料辐射损伤测试结构设计

作     者：陈伟华 杜磊 何亮 Chen Weihua;Du Lei;He Liang

作者机构：西安电子科技大学技术物理学院陕西西安710071 

基　　金：国家部委"十一五"预研资助项目(51312060104) 西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200603) 

出 版 物：《电子科技》 (Electronic Science and Technology)

年 卷 期：2009年第22卷第12期

页      码：52-54,57页

摘      要：为研究CMOS器件与电路的辐射效应,文中提出了SiO2介质材料辐射损伤测试结构的设计思想。针对栅氧化层和场氧化层在器件中位置、作用和结构上的差异,分别设计了用于场氧化层测试的多栅结构和用于栅氧化层测试的封闭栅结构以及Dog-Bone栅结构。为CMOS器件辐射损伤机理及辐射加固提供了新的样品和研究方法。

主 题 词：SiO2介质材料 辐射损伤 测试结构 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-7820.2009.12.017

馆 藏 号：203548814...