用于三相不解耦PFC的新型高压功率器件EBST

作     者：刘松 丁颖 LIU Song;DING Ying

作者机构：万代半导体元件上海有限公司上海201203 苏州工业园区工业技术学校江苏苏州215123 

出 版 物：《电焊机》 (Electric Welding Machine)

年 卷 期：2010年第40卷第1期

页      码：47-50页

摘      要：介绍了一种兼有功率晶体管低导通压降和高额定电压特点以及功率MOSFET高开关速率特点的新型器件发射极开关双极型晶体管ESBT的结构,同时详细的阐述了这种新型器件的工作原理。还介绍了这种器件的驱动方法和专门针对三相不解耦PFC应用的驱动芯片以及电路设计的过程。实验表明:驱动芯片能够自动调整存储时间的长度从而保证ESBT在不同的负载条件下都处于优化的工作状态。

主 题 词：功率因素校正 发射极开关双极型晶体管 驱动电路 存储时间 

学科分类：080503[080503] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0802[工学-机械学] 080201[080201] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-2303.2010.01.012

馆 藏 号：203548862...