高温6H-SiC CMOS运算放大器的设计

作     者：刘莉 杨银堂 LIU Li;YANG Yin-tang

作者机构：西安电子科技大学宽带隙半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071 

基　　金：教育部重点科技基金资助项目(02074) 国家部委预研基金资助项目(41308060105) 

出 版 物：《西北大学学报（自然科学版）》 (Journal of Northwest University（Natural Science Edition）)

年 卷 期：2010年第40卷第2期

页      码：219-223页

摘      要：目的设计可工作在高温下的6H-SiC CMOS运算放大器。方法该电路基于标准的PMOS输入两级运放而成,考虑泄漏电流匹配添加Dcomp二极管。利用零温度系数理论和泄漏电流匹配的原则对电路管子的尺寸进行确定。通过求解SiMOS管和6H-SiC MOS管零温度系数点来稳定偏置电路。结果利用Hspice进行仿真,当温度从300K变化到600K时,SiC运放的增益和相位裕度的变化率分别为2.5%和3.3%,而Si电路的增益从300K的64dB降到600K的-80dB。由于SiC MOS器件沟道迁移率低导致器件的跨导低于相同尺寸下的Si器件,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si OPAMP。结论此电路可以在高温下稳定工作,但是单管的性能较Si单管差。

主 题 词：6H-SiC CMOS OPAMP 零温度系数 泄漏电流匹配 温度稳定性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.16152/j.cnki.xdxbzr.2010.02.038

馆 藏 号：203549128...