一种简化的E^2PROM存储管I—V模型

作     者：于宗光 叶守银 傅斌 许居衍 夏树荣 黄卫 徐征 魏同立 

作者机构：华晶电子集团中央研究所 东南大学微电子中心 

基　　金：江苏省青年科技基金 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：1999年第19卷第2期

页      码：163-166页

摘      要：提出一种ＦＬＯＴＯＸＥ２ＰＲＯＭ存储管的电流—电压模型，模型的模拟结果和实验结果相吻合，该模型为精确设计和利用Ｅ２ＰＲＯＭ单元提供了理论基础。

主 题 词：电可擦 可编程 只读存储器 存储管 E^2PROM 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

馆 藏 号：203549159...