高压超结VDMOS结构设计

作     者：杨法明 杨发顺 丁召 傅兴华 邓朝勇 YANG Faming;YANG Fashun;DING Zhao;FU Xinghua;DENG Chaoyong

作者机构：贵州大学理学院电子科学系贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 

基　　金：贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字-2213 -2203) 贵州省优秀青年科技人才(黔科合人字-15) 贵州省科技创新人才团队(黔科合人才团队4005) 贵州省高层次人才基金资助项目(TZJF-2008-31) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2012年第32卷第3期

页      码：298-303页

摘      要：为改善高压功率VDMOS击穿电压和导通电阻之间的平方率关系,采用超结理论及其分析方法,结合电荷平衡理论,计算了超结VDMOS的理想结构参数,并利用仿真软件SILVACO对超结VDMOS的各个工艺参数(外延厚度,P柱掺杂剂量,阈值电压)进行了优化设计,对器件的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真分析。最终设计了一个击穿电压为815V,比导通电阻为23mΩ.cm2的超结VDMOS。

主 题 词：纵向双扩散金属氧化物半导体 超结 电荷平衡 正向导通 反向击穿 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2012.03.019

馆 藏 号：203550040...