横向超结器件衬底辅助耗尽效应的研究与展望

作     者：黄示 郭宇锋 姚佳飞 夏晓娟 徐跃 张瑛 HUANG Shi;GUO Yufeng;YAO Jiafei;XIA Xiaojuan;XU Yue;ZHANG Ying

作者机构：南京邮电大学电子科学与工程学院南京210003 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60806027 61076073) 电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金资助项目(KFJJ201011) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2013年第43卷第4期

页      码：586-592页

摘      要：横向超结双扩散MOS(SJ-LDMOS)的性能优越,在高压集成电路和功率集成电路中具有广阔的应用前景,而衬底辅助耗尽效应是制约横向超结功率器件性能的重要因素之一。分析了SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的产生机理,总结了当前国内外消除SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的技术,比较了各种技术的比导通电阻与击穿电压的关系。最后,从设计技术、工艺及理论模型三个方面,对横向超结器件的发展方向进行了展望。

主 题 词：横向超结双扩散MOS 衬底辅助耗尽效应 击穿电压 比导通电阻 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2013.04.033

馆 藏 号：203550594...