电子束蒸发法制备CdS薄膜光电特性研究

作     者：陈哲 董连和 孙艳军 冷雁冰 王丽 CHEN Zhe;DONG Lian-he;SUN Yan-jun;LENG Yan-bing;WANG Li

作者机构：长春理工大学光电工程学院长春130022 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2014年第43卷第5期

页      码：1137-1143页

摘      要：采用电子束蒸发法,以高纯CdS块料为膜料在玻璃基底上制备了CdS薄膜,设计了L9(34)正交实验,研究了各工艺参数对薄膜光电性能的影响。结果表明,随着基底温度,蒸发速率的提高,薄膜的电阻值呈降低趋势达到最小值后稍有升高;薄膜的阻值随真空度的降低而降低,达到一定程度后阻值基本保持不变。薄膜的暗亮电阻比即光敏性,随基底温度的增大先增大达到最大值后开始减小;而随蒸发速率的提高光敏性先缓后急的增加;真空度对光敏性的影响与蒸发速率对光敏性的影响正好相反,表现为随真空度的增加光敏性先急后缓的降低。正交实验表明:当基底温度为150℃,蒸发速率为1 nm·s-1,真空度为3×10-3Pa时,薄膜的光电性能最好。CdS薄膜的光敏性达到7.7×102,其中亮电阻的最小值为1350Ω/□。

主 题 词：CdS薄膜 电子束蒸发法 正交实验 光电性能 

学科分类：0817[工学-轻工类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-985X.2014.05.020

馆 藏 号：203550852...