SiC高温压力传感器电容芯片设计与仿真

作     者：李赛男 梁庭 喻兰芳 李颖 熊继军 LI Sai-nan;LIANG Ting;YU Lan-fang;LI Ying;XIONG Ji-jun

作者机构：中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原030051 中北大学电子测试技术国防科技重点实验室山西太原030051 

出 版 物：《仪表技术与传感器》 (Instrument Technique and Sensor)

年 卷 期：2015年第3期

页      码：7-9,42页

摘      要：MEMS压力传感器的研制已相当成熟,但在高温领域却遇到了许多问题,为解决高温环境下压力测量的问题,文中介绍了一种新型Si C高温压力传感器电容芯片的设计方案。应用Ansys有限元分析软件进行热-结构耦合场仿真分析,常温下电容芯片的灵敏度为1.3 p F/bar(1 bar=100 k Pa),300℃、500℃、700℃时灵敏度分别为1.4 p F/bar、1.54 p F/bar、1.74 p F/bar,表明这种结构在高温下仍具有较高的灵敏度,同时对结构进行模态仿真,由模态分析结果知,一阶频率为245 930 Hz,可知该结构具有很高的频响。

主 题 词：SiC 高温压力传感器 电容芯片 Ansys有限元分析软件 灵敏度 频响 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-1841.2015.03.003

馆 藏 号：203551629...