一种改进的高线性CMOS混频器的分析与设计

作     者：张雷鸣 张金灿 刘博 ZHANG Leiming;ZHANG Jincan;LIU Bo

作者机构：河南科技大学电气工程学院河南洛阳471023 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(611101167) 2014年河南省教育厅基础与前沿技术研究资助项目(14B510004) 河南省高等学校重点科研项目(15A510001) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2016年第46卷第2期

页      码：219-223页

摘      要：在多标准系统应用中,由于线性度和噪声的要求,使得混频器的设计难度很大。采用2次谐波注入结构的3阶失真抵消技术,设计了一种改善跨导级线性度的高线性CMOS混频器。在混频器开关级处引入LC滤波电路,抵消了开关级晶体管的2阶和3阶互调失真,进而优化了开关级的线性度。采用TSMC 0.13μm CMOS工艺进行设计与仿真,并完成了版图设计与流片。较之传统的吉尔伯特混频器,该电路的输入3阶交调点IIP3增加了11.2dBm,达到9.2dBm的高线性度,对噪声系数、增益以及功耗造成的影响较小。

主 题 词：CMOS混频器 3阶失真抵消技术 高线性 

学科分类：080903[080903] 080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.2016.02.017

馆 藏 号：203551748...