用于0.5μm 门阵列的存储器宏单元构成方法

作     者：睦觉 孙伯祥 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2002年第2卷第6期

页      码：43-47页

摘      要：1前言 随着微细加工技术的进展,门阵列在高性能、高集成方面向前飞速发展着.最近发表了一些可搭载门规模为100K门以上的大规模、全面敷设型门阵(SOG).在此状况下,我们(NTT电子技术设计部、NTTLSI研究所)开发了面向通信用LSI的0.5μm250k门CMOS门阵列.

主 题 词：存储器单元 逻辑门 门阵列 宏单元 构成方法 存储单元 仪表组合单元 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2002.06.011

馆 藏 号：203555787...