ESD保护栅结构20V N沟道沟槽VDMOSFET设计

作     者：殷允超 黄秋萍 YIN Yun-chao;HUANG Qiu-ping

作者机构：苏州大学江苏苏州215021 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2011年第11卷第6期

页      码：27-30,40页

摘      要：文章主要研究了低压ESD保护栅型沟槽VDMOSFET的设计制造方法。首先简要分析了沟槽VDMOSFET的结构、工作原理以及ESD保护结构的理论实现。基于20V N沟道设计的主要参数指标,给出了具体的外延规格、终端结构、版图、工艺流程等主要设计点。在流片的分片单中对沟槽深度、栅氧厚度、P-阱注入剂量以及ESD-poly注入剂量进行分条件流片。通过CP数据以及封装测试数据的对比,确定了最佳的设计方案。最终的直流参数测试值都达到预计指标,在ESD方面,器件可承受大于2.5kV的HBM静电放电。

主 题 词：VDMOSFET ESD 沟槽 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2011.06.008

馆 藏 号：203555787...