自旋场效应晶体管的电学特性研究(英文)

作     者：张华鑫 王燕 王伟 ZHANG Huaxin;WANG Yan;WANG Wei

作者机构：南京邮电大学电子科学与工程学院南京210003 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60806027) 江苏省自然科学基金资助项目(10KJD510005,10KJD510006) 南京邮电大学自然科学基金资助项目(NY211094) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2013年第33卷第2期

页      码：112-118页

摘      要：用非平衡格林函数方法研究一种自旋场效应晶体管的电子输运特性。结果表明,不考虑自旋散射的作用,当漏极电压比较小时该器件能达到很高的磁阻比率。对该器件在考虑自旋散射和不考虑自旋散射下的输出电流进行对比,发现在铁磁平行(反平行)的条件下,考虑自旋散射时的输出电流要比不考虑自旋散射时的输出电流小(大)。研究结果揭示了该器件的物理机制,为该器件的优化设计提供了理论指导。

主 题 词：自旋场效应晶体管 器件仿真 输运特性 非平衡格林函数 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2013.02.003

馆 藏 号：203556046...